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| 减压充氮硅单晶技术 | |
| 摘 要： | 当今世界上生长半导体级硅单晶的方法有直拉切氏法(CZ)和悬浮区熔法(FZ)。其中切氏法生长的硅单晶占半导体工业需求量的80%以上。切氏法硅单晶生长过程中,熔硅与石英坩埚的反应产生 SiO 微粒。大直径硅单晶,由于拉制周期长、每根单晶拉制时间在十个小时以上,这个问题尤为突出,无沦在真空和氩气氛 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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