| 不同致密度的MoSi2材料在1200 ℃的循环氧化特性 |
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| 引用本文： | 颜建辉,张厚安,李益民,唐思文.不同致密度的MoSi2材料在1200 ℃的循环氧化特性[J].矿冶工程,2006,26(6):81-83,87. |
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| 作者姓名： | 颜建辉 张厚安 李益民 唐思文 |
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| 作者单位： | 1. 湖南科技大学,材料表面工程研究所,湖南,湘潭,411201;中南大学,粉末冶金国家重点实验室,湖南,长沙,410083
2. 湖南科技大学,材料表面工程研究所,湖南,湘潭,411201
3. 中南大学,粉末冶金国家重点实验室,湖南,长沙,410083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（50405041） |
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| 摘 要： | 利用热重分析法和SEM,X射线衍射考察了不同致密度的MoSi2材料在1200℃的循环氧化行为。研究结果表明：不同致密度的MoSi2均未发生“Pesting”现象,致密度和“Pesting”现象无本质关系。低致密度MoSi2材料在0-1h和1～480h阶段,氧化动力学曲线基本呈直线,而高致密度的材料氧化动力学曲线近似抛物线。氧化480h后,最小致密度（78．6％）试样和最高致密度（94．8％）试样增质分别为10．39mg／cm^2和0．135mg／cm^2。高致密度MoSi2材料优异的抗氧化主要归因于其生成了连续致密的保护膜,阻止了氧化的进一步发生。氧化层相组成由表至里按照SiO2→Mo5Si3→MoSi2逐渐演化。
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| 关 键 词： | MoSi2 致密度 高温氧化 “Pesting”现象 |
| 文章编号： | 0253-6099（2006）06-0081-03 |
| 收稿时间： | 2006-04-05 |
| 修稿时间： | 2006-04-05 |
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