| 氧化钒薄膜制备与特性研究 |
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| 引用本文： | 梁耀廷,崔敬忠,达道安,刘向,李智.氧化钒薄膜制备与特性研究[J].真空与低温,2004,10(2):71-74. |
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| 作者姓名： | 梁耀廷 崔敬忠 达道安 刘向 李智 |
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| 作者单位： | 兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000 |
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| 摘 要： | 用磁控反应溅射法制备出具有红外敏感特性的氧化钒薄膜,进行了薄膜光电特性的测试.通过AFM和XRD对薄膜的结构和特性进行分析研究,并给出了沉积参数对薄膜性能的影响.
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| 关 键 词： | 氧化钒薄膜 薄膜 电学特性 |
| 文章编号： | 1006-7086(2004)02-0071-04 |
| 修稿时间： | 2004年2月18日 |
PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF IR SENSITIVE VANADIUM OXIDE THIN FILMS |
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| LIANG Yao-ting,CUI Jing-zhong,DA Dao-an,LIU Xiang,LI Zhi.PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF IR SENSITIVE VANADIUM OXIDE THIN FILMS[J].Vacuum and Cryogenics,2004,10(2):71-74. |
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| Authors: | LIANG Yao-ting CUI Jing-zhong DA Dao-an LIU Xiang LI Zhi |
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| Abstract: | IR sensitive vanadium oxide thin films have been prepared by reactive magnetron sputtering. Structural and electrical properties have been characterized by AFM, XRD. Influence of deposition parameters on thin film properties was given. |
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| Keywords: | vanadium oxide thin film electrical property |
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