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32nm CMOS工艺单粒子三点翻转自恢复锁存器设计
作者姓名:黄正峰  郭阳  潘尚杰  鲁迎春  梁华国  戚昊琛  欧阳一鸣  倪天明  徐奇
作者单位:合肥工业大学电子科学与应用物理学院 合肥230009;合肥工业大学计算机与信息学院 合肥230009;安徽工程大学电气工程学院 芜湖241000
基金项目:国家自然科学基金;安徽省自然科学基金
摘    要:

关 键 词:单粒子翻转  抗辐射加固设计  双输入反相器  翻转自恢复
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