| 基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取 |
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| 引用本文： | 李瑞贞,李多力,杜寰,海潮和,韩郑生.基于混合遗传算法的SOI MOSFET模型参数提取[J].半导体学报,2006,27(5):796-803. |
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| 作者姓名： | 李瑞贞 李多力 杜寰 海潮和 韩郑生 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京100029 |
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| 摘 要： | 通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法,这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数.用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOSFET模型参数,用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好,与商业软件相比精度得到了明显的提高.这种方法与商业软件使用的传统的方法相比,不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解,也不需要复杂的计算.更深入的验证表明,该模型适用的器件尺寸范围很广.
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| 关 键 词： | SOI 参数提取 遗传算法 模拟退火算法 SOI parameter extraction genetic algorithm simulated annealing algorithm 混合 遗传算法 MOSFET 模型 参数提取 Genetic Algorithm Compound Parameter Extraction verification large range device sizes method understanding complex conventional algorithms precision improved |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)05-0796-08 |
| 修稿时间： | 2005年12月28日 |
SOI MOSFET Model Parameter Extraction via a Compound Genetic Algorithm |
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| Li Ruizhen,Li Duoli,Du Huan,Hai Chaohe and Han Zhengsheng.SOI MOSFET Model Parameter Extraction via a Compound Genetic Algorithm[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(5):796-803. |
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| Authors: | Li Ruizhen Li Duoli Du Huan Hai Chaohe and Han Zhengsheng |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI parameter extraction genetic algorithm simulated annealing algorithm |
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