介电泳抛光专用高压可调电源的研制 |
| |
引用本文: | 赵天晨,邓乾发,袁巨龙,祝永华. 介电泳抛光专用高压可调电源的研制[J]. 机电工程, 2016, 0(8). DOI: 10.3969/j.issn.1001-4551.2016.08.019 |
| |
作者姓名: | 赵天晨 邓乾发 袁巨龙 祝永华 |
| |
作者单位: | 1. 浙江工业大学,超精密加工研究中心,浙江杭州310014;2. 衢州学院,电气与信息工程学院,浙江衢州324000 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(51275476),浙江省科技创新团队资助项目(2011R50011-06) |
| |
摘 要: | 针对介电泳抛光对电源电压、频率、波形有特殊要求这一问题,对电源的信号发生电路,信号放大电路,直流升压电路,光耦及逆变电路等方面进行了研究和归纳,研制了一套适用于介电泳抛光的专用高压可调电源。通过直流升压电路为IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)逆变电路提供了电压,单片机通过IGBT光耦驱动来控制IGBT模块的开关状态,最终将逆变电路中负载电阻两端的电压并联到抛光机上、下盘的电极。利用介电泳抛光加工与传统抛光加工的对比实验对高压可调电源进行测试。研究结果表明,电源各项指标均达到设计要求,且使用该电源的介电泳抛光材料去除率提升了15.5%,验证了这种高压可调电源原理的可行性及工程应用价值。
|
关 键 词: | 介电泳 高压 可调 IGBT |
Development of dedicated high voltage power supply apply to dielectrophoresis polishing |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | dielectrophoresis high voltage adjustable insulated gate bipolar transistor (IGBT) |
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录! |
|