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用纳米WO3制作NOx气敏元件
引用本文:赖云锋,黄世震,林伟,陈知前. 用纳米WO3制作NOx气敏元件[J]. 郑州轻工业学院学报(自然科学版), 2000, 15(4): 49-51
作者姓名:赖云锋  黄世震  林伟  陈知前
作者单位:福州大学,气敏传感器研究所,福建,福州,350002
摘    要:在主体材料WO3中掺入适量的SiO2可制得平均粒径为37nm的敏感材料,用该材料制作的气敏元件对NOx具有较高的灵敏度和较好的选择性,响应/恢复时间较快。

关 键 词:气敏器件 氧化氮 氧化钨 纳米材料
文章编号:1004-1478(2000)04-0049-03
修稿时间:2000-07-10

Preparation of NOx gas sensitive device by WO3 nanoisized material
lLAI Yun-feng, HUANG Shi-zhen, LIN Wei, CHEN Zhi-qian Inst. of Gas Sensitivity Sensor.,Fuzhou Univ.,Fuzhou ,China. Preparation of NOx gas sensitive device by WO3 nanoisized material[J]. Journal of Zhengzhou Institute of Light Industry(Natural Science), 2000, 15(4): 49-51
Authors:lLAI Yun-feng   HUANG Shi-zhen   LIN Wei   CHEN Zhi-qian Inst. of Gas Sensitivity Sensor.  Fuzhou Univ.  Fuzhou   China
Affiliation:lLAI Yun-feng, HUANG Shi-zhen, LIN Wei, CHEN Zhi-qian Inst. of Gas Sensitivity Sensor.,Fuzhou Univ.,Fuzhou 350002,China
Abstract:
Keywords:gas sensitive devices  nitrogen oxide  tungsten oxide  nanoisized materiP  
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