| BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象 |
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| 引用本文： | 王慧泉,金仲和,李铁,马慧莲,王跃林.BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象[J].纳米技术与精密工程,2007,5(4):253-255. |
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| 作者姓名： | 王慧泉 金仲和 李铁 马慧莲 王跃林 |
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| 作者单位： | 浙江大学信息工程学院,杭州,310027;上海微系统与信息技术研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 通过选择性离子注入，在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构．实验发现，在黑暗条件下，PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀；该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关，随环境温度升高而加快，腐蚀速率范围为0．25～3．5nm／min；腐蚀后硅片表面平整．对腐蚀机理进行了初步讨论．结合氧化硅蚀刻缓冲液（BOE溶液）氧化硅牺牲层腐蚀技术，发展出一套硅纳米线加工工艺；利用该工艺，加工出特征尺寸小于100nm的硅纳米线．
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| 关 键 词： | 选择性腐蚀 BOE溶液 PN结 硅纳米线 |
| 文章编号： | 1672-6030(2007)04-0253-03 |
| 修稿时间： | 2007年8月16日 |
N-Type Area of PN Junction Etched in BOE Solution |
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| WANG Hui-quan,JIN Zhong-he,LI Tie,MA Hui-lian,WANG Yue-lin.N-Type Area of PN Junction Etched in BOE Solution[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2007,5(4):253-255. |
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| Authors: | WANG Hui-quan JIN Zhong-he LI Tie MA Hui-lian WANG Yue-lin |
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