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BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象
引用本文:王慧泉,金仲和,李铁,马慧莲,王跃林.BOE溶液腐蚀PN结N型区域现象[J].纳米技术与精密工程,2007,5(4):253-255.
作者姓名:王慧泉  金仲和  李铁  马慧莲  王跃林
作者单位:浙江大学信息工程学院,杭州,310027;上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
摘    要:通过选择性离子注入,在硅片表面形成P区、N区紧密接触的PN结结构.实验发现,在黑暗条件下,PN结N型区域可被HF酸或BOE溶液选择性腐蚀;该腐蚀速率与HF酸溶液浓度有关,随环境温度升高而加快,腐蚀速率范围为0.25~3.5nm/min;腐蚀后硅片表面平整.对腐蚀机理进行了初步讨论.结合氧化硅蚀刻缓冲液(BOE溶液)氧化硅牺牲层腐蚀技术,发展出一套硅纳米线加工工艺;利用该工艺,加工出特征尺寸小于100nm的硅纳米线.

关 键 词:选择性腐蚀  BOE溶液  PN结  硅纳米线
文章编号:1672-6030(2007)04-0253-03
修稿时间:2007年8月16日

N-Type Area of PN Junction Etched in BOE Solution
WANG Hui-quan,JIN Zhong-he,LI Tie,MA Hui-lian,WANG Yue-lin.N-Type Area of PN Junction Etched in BOE Solution[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2007,5(4):253-255.
Authors:WANG Hui-quan  JIN Zhong-he  LI Tie  MA Hui-lian  WANG Yue-lin
Abstract:
Keywords:
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