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| 纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用 | |
| 引用本文： | 陈源,冉广照,戴伦,袁放成,秦国刚,马振昌,宗婉华,吴正龙. 纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(Z1): 69-75 |
| 作者姓名： | 陈源 冉广照 戴伦 袁放成 秦国刚 马振昌 宗婉华 吴正龙 |
| 作者单位： | 1. 北京大学物理系,北京,100871 2. 河北半导体研究所,砷化镓集成电路国家实验室,河北,石家庄,050051 3. 北京师范大学测试中心,北京,100875 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
| 摘 要： | 用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管的8倍.在n+-Si衬底上淀积了纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)三明治结构,其硅层厚度以0.2 nm为间隔从1.0nm变化到4.0nm.在室温下观察到了Au/纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的3个高斯峰,峰位分别为0.757eV(1.64μm)、0.806eV(1.54μm)和0.860eV(1.44μm),半高宽分别为0.052、0.045和0.055eV,其中1.54μm峰来源于Er3+发光.当硅层厚度为1.6nm时,3个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管相应3个峰的22、7.9和6.7倍. |
| 关 键 词： | Er3+ 氧化硅 纳米硅 电致发光. |
| 修稿时间： | 2001-06-12 |
ENHANCING EFFECT OF NANOSCALE Si ON ELECTROLUMINESCENCE FROM Er-DOPED Si OXIDE |
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| CHEN Yuan RAN Guang-Zhao DAI Lun YUAN Fang-Cheng QIN Guo-Gang. ENHANCING EFFECT OF NANOSCALE Si ON ELECTROLUMINESCENCE FROM Er-DOPED Si OXIDE[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2002, 21(Z1): 69-75 | |
| Authors: | CHEN Yuan RAN Guang-Zhao DAI Lun YUAN Fang-Cheng QIN Guo-Gang |
| Abstract: | |
| Keywords: | Er3+ Si oxide Si nanocluster electroluminescence. |
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