| 磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺 |
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| 引用本文： | 刘亮,尹军舰,李潇,张海英,李海鸥,和致经,刘训春. 磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺[J]. 半导体学报, 2006, 27(11): 1970-1973 |
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| 作者姓名： | 刘亮 尹军舰 李潇 张海英 李海鸥 和致经 刘训春 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 针对磷化铟(InP)基高电子迁移率晶体管(HEMT),进行了Ni/Ge/Au和Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au两种金属结构快速退火(10～40s)和长时间合金(10min)的实验.通过研究比较,得到了更适用于InP基HEMT器件制作的合金方法.利用Ni/Ge/Au/Ge/Ni/Au结构,在270℃下合金10min形成了典型值0.068Ω·mm的接触电阻.
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| 关 键 词： | 磷化铟 高电子迁移率晶体管 欧姆接触 合金 传输线模型 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)11-1970-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-12 |
| 修稿时间： | 2006-06-22 |
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs |
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| Liu Liang,Yin Junjian,Li Xiao,Zhang Haiying,Li Haiou,He Zhijing and Liu Xunchun. Ohmic Contact for InP-Based HEMTs[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(11): 1970-1973 |
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| Authors: | Liu Liang Yin Junjian Li Xiao Zhang Haiying Li Haiou He Zhijing Liu Xunchun |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China;Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InP HEMT ohmic contact alloy TLM |
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