| 微波等离子体化学气相沉积的 a-Si∶H 性能研究 |
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| 引用本文： | 王春林,孟广耀,杨萍华,彭定坤.微波等离子体化学气相沉积的 a-Si∶H 性能研究[J].无机材料学报,1992(3). |
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| 作者姓名： | 王春林 孟广耀 杨萍华 彭定坤 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学材料科学与工程系中国科学院中国科技大学结构分析开放实验室
(王春林，孟广耀，杨萍华)，中国科学技术大学材料科学与工程系中国科学院中国科技大学结构分析开放实验室(彭定坤) |
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| 摘 要： | 本文着重对微波等离子体化学气相沉积法高速沉积的 a-Si∶H 膜的物理性能进行评价研究.测量了沉积膜的光电性能、暗电导激活能、光禁带宽度、光吸收特性、沉积膜中悬键态密度以及氢含量等,并讨论沉积条件对膜性能的影响.结果表明,在沉积速率高达30～90(?)/s 情况下,膜的光电导(光照强度10~5Lux)与暗电导比值可达10~3～10~5,暗电导率从10~(-3)到10~(-11)((?)cm)~(-1),其激活能在0.23～0.88eV 之间(0～200℃温度范围内),光禁带宽度为1.40～2.20eV,氢含量约为2～20%.
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅 非晶硅的高速沉积 等离子体化学气相沉积 |
Study on the Property of a-Si:H Film Deposited by MPCVD |
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| Wang Chunlin Meng Guangyao Yang Pinghua Peng Dingkun.Study on the Property of a-Si:H Film Deposited by MPCVD[J].Journal of Inorganic Materials,1992(3). |
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| Authors: | Wang Chunlin Meng Guangyao Yang Pinghua Peng Dingkun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a-Si:H Property High rate deposition Microwave plasma CVD |
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