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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
GeSn光电薄膜及其研究进展
作者姓名:
李倩影
崔敏
于添景
邓金祥
高红丽
原安娟
作者单位:
北京工业大学理学部
基金项目:
国家自然科学基金青年基金资助项目(12204026);;北京市科技新星计划资助项目(Z211100002121079);
摘 要:
GeSn作为一种新型低成本、绿色半导体材料,具有带隙和晶格常数可调、载流子迁移率高、光吸收性能好和光响应度高等优势,在光电器件领域备受关注,在光伏和热光伏领域不断取得新的突破。对GeSn材料的基本物性、实验制备、应用研究和进展进行了详细地介绍。着重对GeSn在光伏电池和热光伏电池的研究进行了分析,并对其在光伏和热光伏领域的发展进行了展望,希望未来能为高效叠层太阳电池的研究提供新思路和新方法。
关 键 词:
GeSn
基本物性
光电器件
光伏电池
热光伏电池
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