基于硅基MEMS工艺的Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统 |
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引用本文: | 杨栋,赵宇.基于硅基MEMS工艺的Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统[J].半导体技术,2023(6):506-511. |
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作者姓名: | 杨栋 赵宇 |
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作者单位: | 中国电子科集团公司第十三研究所 |
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摘 要: | 基于硅基微电子机械系统(MEMS)工艺设计了一种Ka波段四通道短砖式三维集成T/R微系统,实现四通道收发及功率合成功能。器件每个通道具备6 bit数控移相、5 bit数控衰减、电源调制等功能。该T/R微系统由两层硅基MEMS模块堆叠而成,每层硅基模块内部异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现垂直互连,层间采用植球互连,器件尺寸为18 mm×19.5 mm×3 mm。经测试,在33~37 GHz频段内,器件单通道饱和发射功率大于30 dBm,接收增益约为35 dB,噪声系数小于4.6 dB。器件兼顾高性能和高集成度,可应用于雷达相控阵系统。
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关 键 词: | 相控阵雷达 硅基微电子机械系统(MEMS)工艺 T/R微系统 三维异构集成 硅通孔(TSV) |
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