车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO |
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引用本文: | 孙力,王志亮,崔子豪,章一鸣,陈靖.车规级LIN总线中55V摆率增强型LDO[J].半导体技术,2023(9):776-786. |
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作者姓名: | 孙力 王志亮 崔子豪 章一鸣 陈靖 |
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作者单位: | 南通大学信息科学技术学院 |
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基金项目: | 江苏省高等学校自然科学研究重大项目(22KJA510005); |
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摘 要: | 针对传统车载芯片中高压型低压差线性稳压器(LDO)的负载电流小、电源抑制比低、瞬态响应差等问题,提出了一种增强型高压LDO,通过一种新型高压预调制电路,提高了高压LDO的电源抑制比;通过一种新型摆率增强电路,改善了高压LDO的瞬态响应。电路基于BCD-120 V CMOS工艺完成建模,仿真结果显示,电压可调范围为5.5~55 V,输出5 V;负载电流为800 mA;低频电源抑制比为96 dB;1μs内负载电流从1 mA跳变到800 mA时,输出端最大上冲电压为26.6 mV,响应时间为8μs;下冲电压为45.4 mV,响应时间为7μs,满足车规级局域互联网(LIN)总线中高压LDO的性能要求。
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关 键 词: | 高压型低压差线性稳压器(LDO) 高压预调制 负载电流 摆率增强 电源抑制比(PSRR) |
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