基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC |
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引用本文: | 王胜福,王洋,李丽,于江涛,张仕强,李宏军.基于GaAs PHEMT工艺的超宽带多通道开关滤波器组MMIC[J].半导体技术,2023(1):48-53. |
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作者姓名: | 王胜福 王洋 李丽 于江涛 张仕强 李宏军 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
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摘 要: | 基于0.25μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款超宽带7路开关滤波器组单片微波集成电路(MMIC)芯片。芯片内集成了开关、驱动电路和带通滤波器,实现了开关滤波功能。开关采用反射式串-并联混合结构;译码器和驱动电路控制某一支路开关的导通或关断;带通滤波器由集总电感和电容组成。该开关滤波器组芯片通带频率覆盖0.8~18 GHz。探针测试结果表明,开关滤波器组芯片各个支路的中心插入损耗均小于8.5 dB,通带内回波损耗小于10 dB,典型带外衰减大于40 dB。为后续研发尺寸更小、性能更优的开关滤波器组提供了参考。
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关 键 词: | GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 超宽带 多通道滤波器 带通滤波器 开关滤波器组 单片微波集成电路(MMIC) |
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