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分类号
杂志ISSN号
硅深刻蚀技术中钝化工艺的研究
作者姓名:
马睿
蔡长龙
作者单位:
西安工业大学光电微系统研究所
摘 要:
穿透硅通孔技术是实现3D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用CF4、C4F8和O2研究交替复合深刻蚀中的钝化工艺,用X射线能谱测试仪分析了不同气体在硅表面产生的钝化薄膜,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。
关 键 词:
穿透硅通孔(TSV)
交替复合深刻蚀
钝化工艺
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