| 分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片 |
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| 引用本文： | 陈路 巫艳 于梅芳 吴俊 乔怡敏 杨建荣 何力. 分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片[J]. 红外与毫米波学报, 2002, 21(1): 67-70 |
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| 作者姓名： | 陈路 巫艳 于梅芳 吴俊 乔怡敏 杨建荣 何力 |
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| 作者单位： | 陈路（中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083）;巫艳（中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083）;于梅芳（中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083）;吴俊（中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083）;乔怡敏（中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083）;杨建荣（中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083）;何力（中国科学院上海技术物理研究所半导体材料器件研究中心及国家红外物理实验室,上海,200083） |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程资助项目 |
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| 摘 要： | 报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖
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| 关 键 词： | 分子束外延 HgCdTe 均匀性 缺陷 焦平面. |
| 收稿时间： | 2001-12-03 |
| 修稿时间： | 2001-12-03 |
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF 3-in HgCdTe WAFER |
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| Abstract: | The recent results on molecular beam epitaxial growth of 3-in HgCdTe wafers were reported. The composition uniformity in the wafer was found to be 1.2% in a diameter of 70 mm, corresponding to a deviation in cutoff wavelength of 0.1 μm at 80 K. By refining the growth conditions, the surface morphology was significantly improved. The defect density was reduced to below 300cm -2, and the defect size was suppressed to be smaller than 10μm. The material quality can meet the requirements of FPA fabrications. |
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| Keywords: | HgCdTe |
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