高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究 |
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作者姓名: | 刘昌龙 侯明东 |
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作者单位: | 中国科学院近代物理研究所 |
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基金项目: | 国家自然科学基金,甘肃省自然科学基金,中国科学院“九五”重点资助 |
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摘 要: | 用112MeV Ar离子以50K的低温辐照了〈111〉取向的单晶Si后在室温下采用X射线光电子谱(XRS)、电子顺磁共振(EPR)和红外光吸收(IR)技术对样品进行了分析。XPS分析结果表明,表面处Si以单元素和SiO2两种形式共存,辐照对这两种形式Si的2p轨道电子的结合能影响较小。EPR测量结果显示,Si中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量,当剂量为1.0×10^14-1.8×10^14cm^-2
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关 键 词: | 非晶化 双空位 氩离子辐照 辐射损伤 单晶硅 |
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