| 三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究 |
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| 引用本文： | 宗明吉. 三代半导体材料构成光子晶体能态密度的研究[J]. 激光与红外, 2010, 40(8): 892-895 |
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| 作者姓名： | 宗明吉 |
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| 作者单位： | 枣庄学院物理与电子工程系,山东,枣庄,277160 |
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| 基金项目： | 山东省2009年高等学校科技计划项目(No.J09LG56);枣庄市科学技术发展计划项目(No.200926-5);枣庄学院2008年度青年科研计划项目(No.2008QN29)资助。 |
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| 摘 要： | 基于光子晶体广泛应用,本文利用平面波展开法研究了三代半导体材料构成三角晶格光子晶体能态密度分布规律。得到了当Si作为背景材料构成光子晶体在f=0.25时构成最大光子禁带。AlP作为背景材料构成光子晶体在f=0.24时构成最大光子禁带。GaN作为背景材料构成光子晶体在f=0.3时构成最大光子禁带。三代半导体构成光子晶体对应最大光子晶体禁带宽度较第一二代逐渐增大,研究结果为光子晶体器件的构造提供理论依据。
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| 关 键 词： | 光子晶体 平面波展开法 能态密度分布 |
| 收稿时间： | 2010-03-28 |
Density states of photonic crystal with three generation of semiconducting material |
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| ZONG Ming-ji. Density states of photonic crystal with three generation of semiconducting material[J]. Laser & Infrared, 2010, 40(8): 892-895 |
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| Authors: | ZONG Ming-ji |
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| Affiliation: | Physics & Electronic Department,Zaozhuang University,Zaozhuang 277160,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | photonic crystal plane wave expansion method density distribute |
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