| 一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准 |
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| 引用本文： | 何一卿,郭璐,郑方. 一种高精度高电源抑制的CMOS带隙基准[J]. 微计算机信息, 2007, 23(19): 222-223,177 |
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| 作者姓名： | 何一卿 郭璐 郑方 |
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| 作者单位： | 200072,上海,上海大学微电子研究与开发中心 |
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| 基金项目： | 本项目由上海市科委资助（047062012） |
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| 摘 要： | 本文介绍了一种高精度高电源抑制的CMOS带隙电压基准,电源电压3V.该电路的实现是基于0.6um 5V的CMOS工艺.为了达到较高的精度和电源抑制比,电路中采用了一个PMOS电流源做调整管,以保证基准核的电流恒定.仿真结果表明,该基准电路在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-40℃至120℃.时,温度系数只有3.5ppm,输出电压误差为0.65mV.
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| 关 键 词： | 带隙基准 电源抑制比 温度系数 |
| 文章编号： | 1008-0570（2007）07-1-0222-02 |
| 修稿时间： | 2007-04-132007-05-15 |
A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference With High PSRR |
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| HE YIQING,GUO LU,ZHENG FANG. A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference With High PSRR[J]. Control & Automation, 2007, 23(19): 222-223,177 |
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| Authors: | HE YIQING GUO LU ZHENG FANG |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference PSRR temperature coefficient |
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