| X波段PHEMT功率单片放大器 |
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| 引用本文： | 张书敬,杨瑞霞,武继斌,杨克武. X波段PHEMT功率单片放大器[J]. 半导体学报, 2006, 27(10): 1800-1803 |
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| 作者姓名： | 张书敬 杨瑞霞 武继斌 杨克武 |
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| 作者单位： | 河北工业大学信息工程学院，天津 300130;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;河北工业大学信息工程学院，天津 300130;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051;中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 报道了X波段8W AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT MMIC功率单片放大器的设计和研制.放大器采用两级拓扑结构,输入输出为50Ω阻抗匹配,芯片面积为4.5mm×3mm.测试结果显示,在7.5V和1.5A的DC偏置下,输出功率在8W以上,功率附加效率为30%,功率增益为15dB.
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| 关 键 词： | PHEMT X波段 MMIC 功率放大器 波段 PHEMT 功率单片放大器 Power Amplifier 功率增益 功率附加效率 输出功率 偏置 显示 测试结果 芯片面积 阻抗匹配 输入输出 拓扑结构 两级 设计 InGaAs MMIC AlGaAs |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)10-1800-04 |
| 收稿时间： | 2006-03-31 |
| 修稿时间： | 2006-05-31 |
An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier |
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| Zhang Shujing,Yang Ruixi,Wu Jibin and Yang Kewu. An X-Band PHEMT MMIC Power Amplifier[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(10): 1800-1803 |
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| Authors: | Zhang Shujing Yang Ruixi Wu Jibin Yang Kewu |
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| Affiliation: | School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;The 13th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China;School of Information Engineering,Hebei University of Technology,Tianjin 300130,China;The 13th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China;The 13th Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation,Shijiazhuang 050051,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PHEMT X-band MMIC power amplifier |
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