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| MOCVD法生长HgCdTe／CdTe／GaAs多层异质材料的特性研究 | |
| 作者姓名： | 陈记安 丁永庆 |
| 作者单位： | 华北光电所(陈记安，杨臣华)，中科院上海冶金所(丁永庆)，中科院上海冶金所(彭瑞伍) |
| 摘 要： | 本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm~2面积上,HgCdTe外延层表面形貌较好,为单晶。CdTe和HgCdTe外延层的半宽度为450弧度秒。界面平坦、清晰过渡层约0.12μm,几乎没有发现Ga、As的扩散,但局部有微观缺陷。X值可生长出0.1～0.8,均匀性△X=0.008,典型样品,77K下,电子浓废为1.4×10~(16)cm~(-3),迁移率为7.4×10~4cm~2/V·S,透过率约42％。 |
| 关 键 词： | MOCVD法 HgCdTe GaAs 异质材料 |
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