| 一种高精度的CMOS带隙基准源 |
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| 引用本文： | 程仕意,沈少武,徐斌富. 一种高精度的CMOS带隙基准源[J]. 现代电子技术, 2007, 30(16): 190-192 |
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| 作者姓名： | 程仕意 沈少武 徐斌富 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 摘 要： | 设计了一种二阶温度补偿带隙基准源,为了提高电源抑制比,设计中采用了与全局电压保持相对无关的局部电压作为带隙核心的工作电压,并且使用PN结串联的结构,以减小运放失调电压的影响。整个电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,使用HSpice仿真器进行仿真,仿真结果证明此基准电压源具有很高的电源电压抑制比和较低的温度系数。
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| 关 键 词： | 带隙基准 温度补偿 温度系数 电源抑制 失调电压 |
| 文章编号： | 1004-373X（2007）16-190-03 |
| 收稿时间： | 2007-04-01 |
| 修稿时间： | 2007-04-01 |
A High Precision CMOS Bandgap Reference Voltage |
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| CHENG Shiyi,SHEN Shaowu,XU Binfu. A High Precision CMOS Bandgap Reference Voltage[J]. Modern Electronic Technique, 2007, 30(16): 190-192 |
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| Authors: | CHENG Shiyi SHEN Shaowu XU Binfu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference temperature compensation temperature coefficient PSR offset voltage |
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