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多孔硅光致发光研究的最新进展
引用本文:彭英才. 多孔硅光致发光研究的最新进展[J]. 半导体光电, 1993, 14(3): 243-249
作者姓名:彭英才
作者单位:河北大学电子与信息工程系 保定
摘    要:目前关于多孔硅(PS)的光致发光研究已成为材料科学中的一个新的热点。本文介绍了PS的光致发光机理与特性研究的一些最新进展。

关 键 词:多孔硅 光致发光

Recent Development in Resaerch on Photoluminescence of Porous Silicon
Peng Yingcai Dept.of Electronics and Inform.Engineering,Hebei University,Baoding. Recent Development in Resaerch on Photoluminescence of Porous Silicon[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1993, 14(3): 243-249
Authors:Peng Yingcai Dept.of Electronics  Inform.Engineering  Hebei University  Baoding
Affiliation:Peng Yingcai Dept.of Electronics and Inform.Engineering,Hebei University,Baoding 071002
Abstract:Recent research on photoluminescence of porous silicon(PS)has be- come a new hot spot in material science.The paper presents recent advances in the research on mechanism and properties of PS photoluminescence.
Keywords:Porous Silicon  Photoluminescence
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