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CdTe核辐射探测器
引用本文:吴绍云 ,张文成 ,毛裕芳 ,蒋瑞娟 ,马呈德.CdTe核辐射探测器[J].原子能科学技术,1975(4).
作者姓名:吴绍云  张文成  毛裕芳  蒋瑞娟  马呈德
摘    要:近年来,锗和硅核辐射半导体探测器已比较成熟。但是这些探测器有两个缺点:一是由于锗单晶的禁带宽度较小(E_g=0.67电子伏,300°K),而Ge(Li)探测器需要Li补偿,因此,必须保存和工作在液氮温度(77°K);二是由于硅单晶的原子序数低(Z=14),

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