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在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼
引用本文:杜勇慧,张铁臣. 在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼[J]. 材料研究学报, 2007, 21(6): 669-672
作者姓名:杜勇慧  张铁臣
作者单位:吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012;北华大学物理学院,吉林,132013;吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春,130012
摘    要:在高温高压条件下在hBN-Li3N-B体系中合成黑色立方氮化硼,研究了添加B的影响.结果表明,在合成的富硼cBN晶体中,没有其它杂质;体系中加入B使合成出的晶体晶形相更完整.过量的B进入晶体是晶体颜色由黄色变成黑色主要原因,硼的进入抑制了cBN晶体沿〈111〉方向生长而有利于沿〈100〉方向生长,由原来的板状晶体变成类八面体状或类球形晶体.用掺B的方法合成的黑色晶体比未掺B的黄色晶体具有更小的残余应力,破碎强度更高.

关 键 词:材料合成与加工工艺  立方氮化硼    拉曼光谱  应力
文章编号:1005-3093(2007)06-0669-04
收稿时间:2007-01-19
修稿时间:2007-07-04

Synthesis of black cBN single crystal in hBN-Li3N B system
DU Yonghui,ZHANG Tiechen. Synthesis of black cBN single crystal in hBN-Li3N B system[J]. Chinese Journal of Materials Research, 2007, 21(6): 669-672
Authors:DU Yonghui  ZHANG Tiechen
Abstract:
Keywords:synthesizing and processing technics   cubic boron nitride   boron   Raman spectroscopy   stress
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