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| 单片式Zno／Si Pn结二极管存储相关器／卷积器 | |
| 作者姓名： | 周子新 杨龙其 |
| 作者单位： | 四川压电与声光技术研究所(周子新，杨龙其，杨宏伟，谢兵)，东南大学(何世平)，东南大学(曹光军) |
| 摘 要： | 本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,互作用时间是5.2μs,卷积效率达-63dBm。把该器件用于扩频通信的解扩实验,证明抗干扰能力强。最后提出了改进性能的方法和措施。 |
| 关 键 词： | 声表面波器件 PN结二极管 存储器 |
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