| 辐照对SiGe HBT增益的影响 |
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| 引用本文： | 孟祥提,王吉林,黄强,贾宏勇,陈培毅,钱佩信. 辐照对SiGe HBT增益的影响[J]. 半导体学报, 2007, 28(Z1): 430-434 |
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| 作者姓名： | 孟祥提 王吉林 黄强 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 |
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| 作者单位： | 孟祥提（清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084）;王吉林（清华大学微电子学研究所,北京,100084）;黄强（清华大学核能与新能源技术研究院,北京,100084）;贾宏勇（清华大学微电子学研究所,北京,100084）;陈培毅（清华大学微电子学研究所,北京,100084）;钱佩信（清华大学微电子学研究所,北京,100084） |
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| 摘 要： | 比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷阱对辐照致性能变化的影响进行了讨论.
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| 关 键 词： | SiGe HBT 电子辐照 γ射线辐照 Si BJT 直流增益 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0430-05 |
| 修稿时间： | 2006-11-26 |
Irradiation Effects on DC Current Gain of SiGe HBT |
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| Meng Xiangti,Wang Jilin,Huang Qiang,Jia Hongyong,Chen Peiyi,Qian Peixin. Irradiation Effects on DC Current Gain of SiGe HBT[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(Z1): 430-434 |
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| Authors: | Meng Xiangti Wang Jilin Huang Qiang Jia Hongyong Chen Peiyi Qian Peixin |
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