| 片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺 |
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| 引用本文： | 郭春妍,徐建星,彭红玲,倪海桥,汪韬,田进寿,牛智川,吴朝新,左剑,张存林.片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺[J].红外与毫米波学报,2017,36(2):220-224. |
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| 作者姓名： | 郭春妍 徐建星 彭红玲 倪海桥 汪韬 田进寿 牛智川 吴朝新 左剑 张存林 |
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| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室，西安交通大学，中国科学院大学,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室，中国科学院大学,中国科学院半导体研究所固态光电子信息技术实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,中国科学院西安光学精密机械研究所超快诊断技术重点实验室,首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室,首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室,首都师范大学物理系太赫兹光电子学教育部重点实验室,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11204190, 61274125)；北京市教育委员会科技计划面上项目(KM201610028005)；科技部“国家重大科学仪器设备开发专项”基金资助(2012YQ14005) |
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| 摘 要： | 提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺,使用HNO_3-NH_4OH-H_2O-C_3H_8O_7·H_2O溶液-H_2O_2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料,Hall测试表明MBE生长的此外延材料电阻率在106Ω·cm量级.剥离半绝缘GaAs(SI-GaAs)衬底层与Al_(0.9)Ga_(0.1)As牺牲层得到1.5μm LT-GaAs与环烯烃聚合物(COP)键合的结构.原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高倍显微镜形貌表征表明剥离后的结构表面平整光滑,表面粗糙度(RMS)为2.28 nm,EDAX能谱仪分析显示该结构中不含Al组分,满足光刻形成光电导开关的要求.
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| 关 键 词： | 片上太赫兹天线集成 LT-GaAs 外延层转移 化学湿法腐蚀 |
| 收稿时间： | 2016/5/30 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2016/9/28 0:00:00 |
Transfer process of LT-GaAs expitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device |
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| GUO Chun-Yan,XU Jian-Xing,PENG Hong-Ling,NI Hai-Qiao,WANG Tao,TIAN Jin-Shou,NIU Zhi-Chuan,WU Chao-Xin,ZUO Jian and ZHANG Cun-Lin.Transfer process of LT-GaAs expitaxial films for on-chip terahertz antenna integrated device[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2017,36(2):220-224. |
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| Authors: | GUO Chun-Yan XU Jian-Xing PENG Hong-Ling NI Hai-Qiao WANG Tao TIAN Jin-Shou NIU Zhi-Chuan WU Chao-Xin ZUO Jian and ZHANG Cun-Lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | on-chip THz antenna integrated device LT-GaAs epitaxial layer Transfer wet chemical etching |
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