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面向100GHz+数模混合电路的0.5μm InP DHBT工艺
作者姓名:程伟  张有涛  王元  牛斌  陆海燕  常龙  谢俊领
作者单位:南京电子器件研究所
摘    要:本文报道了一种高性能的3英寸磷化铟双异质结双极型晶体管工艺。发射极尺寸为0.5×5μm2的磷化铟双异质结双极型晶体管,电流增益截止频率以及最高振荡频率分别达到350GHz以及532GHz,击穿电压4.8V。基于该工艺研制了114GHz静态分频器以及170GHz动态分频器两款工艺验证电路,这两款电路的工作频率处于国内领先水平。

关 键 词:磷化铟  双异质结晶体管  分频器
收稿时间:2016-04-05
修稿时间:2016-11-29
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