| 复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布 |
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| 引用本文： | 何进,张兴,黄如,王阳元.复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布[J].半导体学报,2002,23(3). |
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| 作者姓名： | 何进 张兴 黄如 王阳元 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究所,北京,100871 |
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| 基金项目： | Motorola和北京大学合作项目 |
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| 摘 要： | 提出了用复合栅控二极管新技术提取MOS/SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理,给出了具体的测试步骤和方法.在此基础上,对具有体接触的NMOS/SOI器件进行了具体的测试和分析,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布.结果表明:随累积应力时间的增加,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升,而且沿沟道方向,界面陷阱从漏端不断向源端增生.
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| 关 键 词： | SOI技术 MOS器件 界面陷阱分布 热载流子效应 复合栅控二极管技术 |
A Novel Combined Gated-Diode Technique for Extracting Lateral Distribution of Interface Traps in SOI NMOSFET |
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