| 新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计 |
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| 引用本文： | 高勇,陈波涛,杨媛.新型SiGe/Si异质结开关功率二极管的特性分析及优化设计[J].半导体学报,2002,23(7). |
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| 作者姓名： | 高勇 陈波涛 杨媛 |
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| 作者单位： | 西安理工大学电子工程系,西安,710048 |
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| 摘 要： | 将SiGe技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了新型Si Ge/Si异质结p-i-n开关功率二极管结构,在分析器件结构机理的基础上,用Medici模拟了该器件的特性并进行了优化设计.结果表明,该功率二极管具有低的正向压降,较少的存贮电荷,其性能远远超过Si的同类型结构.这种性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率IC中.
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| 关 键 词： | SiGe/Si异质结 功率损耗 通态压降 存贮电荷 |
Analysis and Optimal Design of Novel SiGe/Si Heterojunction Switching Power Diodes |
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