| 单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用 |
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| 引用本文： | 王启元,林兰英,王建华,邓惠芳,谭利文,王俊,蔡田海,郁元桓.单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用[J].半导体学报,2002,23(1). |
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| 作者姓名： | 王启元 林兰英 王建华 邓惠芳 谭利文 王俊 蔡田海 郁元桓 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,材料科学中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150～650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关.
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| 关 键 词： | 中子辐照 退火 辐照缺陷 |
Reaction of Hydrogen with Neutron-Irradiation-Induced Defects in Crystalline Silicon |
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