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| 量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响 | |
| 引用本文： | 周星飞,施斌,胡冬枝,樊永良,龚大卫,蒋最敏.量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响[J].半导体学报,2002,23(7). |
| 作者姓名： | 周星飞 施斌 胡冬枝 樊永良 龚大卫 蒋最敏 |
| 作者单位： | 1. 宁波大学物理系,宁波,315211 2. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海,200433 |
| 摘 要： | 在Si(100)衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层,高温退火形成量子点.我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点,而不是纯Ge量子点. |
| 关 键 词： | Si/Ge界面互扩散 量子点 分子束外延 |
Interface Interdiffusion Intensified by Formation of Quantum Dots |
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