| 多孔硅PL谱的影响因素分析 |
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| 引用本文： | 柯见洪,郑亦庄,池贤兴,程新红.多孔硅PL谱的影响因素分析[J].半导体学报,2002,23(1). |
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| 作者姓名： | 柯见洪 郑亦庄 池贤兴 程新红 |
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| 作者单位： | 温州师范学院物理与电子信息科学系,温州,325027 |
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| 摘 要： | 通过阳极氧化电化学方法制备了多孔硅,并在室温下对不同条件下制得的多孔硅光致发光谱(PL谱)进行系统的分析.结果表明,随着阳极电流密度、阳极化溶液浓度和时间的增大,多孔硅的PL谱峰将发生"蓝移",并且PL峰强也显著增加,但过大的电流密度、阳极化溶液浓度和时间将导致PL峰强下降.另外,还发现PL谱存在多峰结构,而多孔硅在空气中放置时间的延长将引起其PL的短波峰"蓝移"和强度下降,但对长波峰只引起强度减弱,并不影响其峰位.PL谱的多峰结构可以认为是由于样品中同时存在"树枝"状和"海绵"状两种微观结构所产生的,在这个假设下,用多孔硅氧化后发光中心从硅表面移到二氧化硅层及量子限制模型能够解释上述现象.
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| 关 键 词： | 多孔硅 光致发光光谱 波峰蓝移 |
Effect of Fabrication Conditions and Aging Time on Photoluminescence of Porous Silicon |
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