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量子阱结构中的等效宽度分析
引用本文:周小平,周剑英,杨爱龄,李锡华,江晓清,王明华.量子阱结构中的等效宽度分析[J].半导体学报,2002,23(7).
作者姓名:周小平  周剑英  杨爱龄  李锡华  江晓清  王明华
作者单位:浙江大学信息与电子工程学系,杭州,310027
摘    要:在有效质量近似下,分析了有限深势阱的电子基态能级,并和有相同能级的无限深势阱模型作比较,用数值方法得到了不同电场下两者之间的阱宽的关系 ,首次得出经验公式,发现结果与前人的实验和理论结果吻合得很好.分析了两种模型下的波函数和结合能,证实了有外加电场时采用零电场下的等效宽度的合理性.

关 键 词:量子阱  等效宽度  结合能  GaAs/GaAlAs

Effective Well Width Analysis in Quantum Well Struct ures
Abstract:
Keywords:
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