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| 超薄氧化层中的中性陷阱对隧穿电流的影响和应变诱导漏电流 | |
| 作者姓名： | 张贺秋 毛凌锋 许铭真 谭长华 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划),高等学校博士学科点专项科研项目 |
| 摘 要： | 用数值分析的方法讨论了中性陷阱对超薄场效应晶体管(MOSFET )隧穿电流的影响.中性陷阱引起势垒的变化在二氧化硅的导带中形成一个方形的势阱.对于不同的势垒变化,计算了电子隧穿氧化层厚度为4nm的超薄金属氧化物半导体结构的电流.结果表明,中性陷阱对隧穿电流的影响不能被忽略,中性陷阱的存在使隧穿电流增加,并且通过这个简单的模型能够理解应变诱导漏电流的产生机制. |
| 关 键 词： | 隧穿电流 高场应力 超薄 应变诱导漏电流 |
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