| 不同工艺超薄栅氧化层的抗击穿特性 |
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| 引用本文： | 韩德栋,张国强,任迪远,陆妩,严荣良.不同工艺超薄栅氧化层的抗击穿特性[J].半导体学报,2002,23(1). |
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| 作者姓名： | 韩德栋 张国强 任迪远 陆妩 严荣良 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所,乌鲁木齐,830011 |
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| 摘 要： | 对注F、注N以及先注N后注F超薄栅氧化层的击穿特性进行了实验研究,实验结果表明,在栅介质中引入适量的F或N都可以明显地提高栅介质的抗击穿能力.分析研究表明,栅氧化层的击穿主要是由于正电荷的积累造成的,F或N的引入可以补偿Si/SiO2界面和SiO2中的O3≡Si·和Si3≡Si·等由工艺引入的氧化物陷阱和界面陷阱,从而减少了初始固定正电荷和Si/SiO2界面态,提高了栅氧化层的质量.通过比较发现,注N栅氧化层的抗击穿能力比注F栅氧化层强.
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| 关 键 词： | 不同工艺 超薄栅氧化层 抗击穿特性 |
Breakdown Protection Characteristics for F and N Implanted Ultra-Thin Gate Oxide |
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