| 垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用 |
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| 引用本文： | 常玉春,崔洪峰,王金忠,宋俊峰,Hailin Luo,Y.Wang,杜国同.垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用[J].半导体学报,2002,23(6). |
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| 作者姓名： | 常玉春 崔洪峰 王金忠 宋俊峰 Hailin Luo Y.Wang 杜国同 |
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| 作者单位： | 1. 吉林大学电子科学和工程学院,集成光电子国家重点实验室吉林大学实验区,长春,130023
2. 香港科技大学物理系,香港 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 在异质结双极晶体管(HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻,以改善其热稳定性.通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻,而且在功率HBT器件中还能非常有效地降低发射极电流集边效应.
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| 关 键 词： | 异质结双极晶体管(HBT) 镇流电阻 电流集边效应 |
Effect of Vertical Emitter Ballasting Resistors on the Emitter Current Crowding Effect in Heterojunction Bipolar Transistors |
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