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| 脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜 | |
| 引用本文： | 邹璐,叶志镇,黄靖云,赵炳辉. 脉冲激光沉积法生长Zn1-xMgxO薄膜[J]. 半导体学报, 2002, 23(12) |
| 作者姓名： | 邹璐 叶志镇 黄靖云 赵炳辉 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积法,生长出没有组分偏析,晶体质量好的Zn1-xMgxO薄膜(x=0.2).研究了衬底温度对Zn0.8Mg0.2O薄膜晶体质量、晶粒度大小的影响,发现最佳衬底温度为650℃左右.对Zn0.8Mg0.2O薄膜进行了光致发光分析,发现相对ZnO晶体有0.4eV的蓝移. |
| 关 键 词： | Zn1-xMgxO薄膜 合金 X射线衍射 PL谱 |
Growth of Zn1-xMgxO Films by Pulsed Laser Deposition |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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