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| 钝化多孔硅的光致发光 | |
| 引用本文： | 李宏建,彭景翠,许雪梅,瞿述,夏辉. 钝化多孔硅的光致发光[J]. 半导体学报, 2002, 23(1) |
| 作者姓名： | 李宏建 彭景翠 许雪梅 瞿述 夏辉 |
| 作者单位： | 1. 湖南大学光电子材料研究所,长沙,410082 2. 湖南大学光电子材料研究所,长沙,410082;中南大学材料科学系,长沙,410083 |
| 摘 要： | 选用含有胺基的正丁胺(CH3CH2CH2CH2-NH2)作碳源,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化,其光致发光谱和存放实验表明:正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径.研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系,其结果显示:通过调节钝化条件可实现钝化多孔硅最大的发光效率和所需要的发光颜色. |
| 关 键 词： | 多孔硅 钝化温度 钝化时间 光致发光谱 |
Photoluminescence from Passivation Porous Silicon |
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