| 静态绝热CMOS记忆电路和信息恢复能力 |
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| 引用本文： | 刘莹,方振贤.静态绝热CMOS记忆电路和信息恢复能力[J].半导体学报,2002,23(12). |
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| 作者姓名： | 刘莹 方振贤 |
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| 作者单位： | 黑龙江大学理学院,电子工程学院,哈尔滨,150080 |
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| 摘 要： | 通过等效电路分析、考虑参数选取和整体时序电路的实现,提出具有信息恢复能力的静态绝热CMOS记忆电路.认为整体绝热电路结构最好融合输入、输出电路和记忆电路、时序电路为一体,由主触发器集合和从触发器集合相互连接构成,其中含有输出和反馈从触发器.采用绝热取样输入电路实现信息记忆单元接收代码和保存信息时将信息单元与外输入隔离.还设计出5421BCD码10进制和7进制可变计数器(带有进位输出从触发器和反馈清0从触发器),用计算机模拟程序检验电路的正确性.
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| 关 键 词： | 绝热静态记忆单元 信息恢复 取样输入电路 分析等效电路 |
Adiabatic Static Memory CMOS Circuits and Its Ability in Information Recovery |
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