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| 透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算 | |
| 引用本文： | 范志新. 透明导电薄膜最佳掺杂含量的理论计算[J]. 半导体学报, 2002, 23(6) |
| 作者姓名： | 范志新 |
| 作者单位： | 河北工业大学应用物理系,天津,300130 |
| 摘 要： | 分析了几种氧化物半导体透明导电薄膜材料的掺杂改性的实验结果,建立了薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系,并给出了一个能够拟合实验曲线的抛物线方程.该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系,进而导出了一个最佳掺杂含量表达式.应用此表达式定量计算了铝掺杂氧化锌薄膜、锡掺杂氧化铟薄膜、锑掺杂二氧化锡薄膜等氧化物半导体透明导电薄膜材料最佳掺杂剂在不同制备方法下的最佳掺杂量.结果表明定量计算的结果与部分实验数据相符合. |
| 关 键 词： | 透明导电薄膜 晶体结构 制备方法 最佳掺杂含量 |
Theoretical Calculation of Optimum Doping Content for Oxide Semiconductor Films |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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