| 铟镓氮薄膜的光电特性 |
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| 引用本文： | 韩培德,刘祥林,王晓晖,袁海荣,陈振,李昱峰,陆沅,汪度,陆大成,王占国. 铟镓氮薄膜的光电特性[J]. 半导体学报, 2002, 23(2) |
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| 作者姓名： | 韩培德 刘祥林 王晓晖 袁海荣 陈振 李昱峰 陆沅 汪度 陆大成 王占国 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0.26;在光致激发下发光光谱为单峰,且峰值波长在360～555nm范围内可调;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合;并具有很高的电子浓度.但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差.
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| 关 键 词： | InGaN MOVPE PL |
Optical and Electronic Properties of InGaN Thin Film Layers |
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