| 一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法 |
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| 引用本文： | 马仲发,庄奕琪,杜磊,花永鲜,吴勇.一种敏感的MOSFET ESD潜在损伤检测方法[J].半导体学报,2002,23(11). |
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| 作者姓名： | 马仲发 庄奕琪 杜磊 花永鲜 吴勇 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071 |
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| 摘 要： | MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件下,1/f噪声的变化要比常规电参数敏感的多,其功率谱幅度的相对变化量比跨导的最大相对退化量大6倍以上,因此可以作为 MOSFET ESD潜在损伤的一种敏感的检测方法.在给出实验结果的同时,对这一敏感性的机理进行了较深入的分析.
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| 关 键 词： | MOSFET ESD 潜在损伤 1/f噪声 检测方法 |
A Sensitive Testing Technique to ESD Latent Damages in MOSFET |
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