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| 适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液 | |
| 引用本文： | 王弘英,刘玉岭,张德臣. 适于ULSI的一种新的铜的CMP抛光液[J]. 半导体学报, 2002, 23(2) |
| 作者姓名： | 王弘英 刘玉岭 张德臣 |
| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
| 摘 要： | 采用纳米级二氧化硅代替国际上惯用的三氧化二铝作磨料,解决了抛光液的悬浮问题,得到了很好的抛光表面.采用无金属离子的有机碱作络合剂及pH调制剂,使用了无金属离子的氧化剂解决了铜离子沾污问题和制约硅溶胶作磨料的凝胶问题.从而得到一种适用于甚大规模集成电路(ULSI)制备中铜互连线技术的化学机械抛光(CMP)的新型抛光液. |
| 关 键 词： | 铜 ULSI 化学机械抛光 抛光液 |
A New Type of Copper CMP Slurry in ULSI |
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