| 热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进 |
| |
| 引用本文： | 谭利文,王俊,王启元,郁元桓,刘忠立,邓惠芳,王建华,林兰英. 热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进[J]. 半导体学报, 2002, 23(11) |
| |
| 作者姓名： | 谭利文 王俊 王启元 郁元桓 刘忠立 邓惠芳 王建华 林兰英 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所材料中心,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所微电子研发中心,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流.
|
| 关 键 词： | γ-Al2O3 SOI MOCVD 退火 |
Improvement of γ-Al2O3/Si Heterostructure Films by Thermal Annealing in Oxygen Ambient |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
