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| X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比 | |
| 引用本文： | 黎建明,屠海令,胡广勇,王超群,郑安生,钱嘉裕.X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比[J].半导体学报,2002,23(11). |
| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 |
| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,北京,100088 |
| 摘 要： | 采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义. |
| 关 键 词： | 晶格参数 化学配比 双晶衍射 三轴晶模式衍射 |
Stoichiometry in SI-GaAs Bulk Materials by Triple Axis Mode X-Ray Diffraction Measurements |
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| Keywords: | |
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