| 高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测 |
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| 引用本文： | 李奇峰,朱世富,赵北君,蔡力,高德友,金应荣. 高阻碲锌镉单晶体的生长及其性能观测[J]. 半导体学报, 2002, 23(2) |
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| 作者姓名： | 李奇峰 朱世富 赵北君 蔡力 高德友 金应荣 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系,成都,610064 |
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| 摘 要： | 报道了采用富Cd原料的无籽晶垂直布里奇曼法生长高阻碲锌镉Cd0.8Zn0.2Te(CZT)单晶体的新工艺,对所生长的晶体作了X射线衍射分析、红外透过率测试、光吸收截止波长测量及电学性能测试.晶体在4400～450cm-1范围内的红外透过率达到50%,截止吸收波长为787.6nm,带隙为1.574eV,室温电阻率达到2×1010Ω·cm,已接近本征Cd0.8Zn0.2Te半导体的理论值.用该晶体制作的核探测器在室温下对241Am和109Cd放射源均有响应,并获得了比较好的241Am-59.5keV吸收谱.结果表明改进的方法是一种生长室温核辐射探测器应用的高阻CZT单晶体的简便有效的新方法.
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| 关 键 词： | Cd0.8Zn0.2Te 单晶生长 布里奇曼法 室温核辐射探测器 |
Growth and Properties of High Resistivity Cd0.8Zn0.2Te Single Crystals |
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