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| 新型半导体清洗剂的清洗工艺 | |
| 引用本文： | 曹宝成,于新好,马洪磊. 新型半导体清洗剂的清洗工艺[J]. 半导体学报, 2002, 23(7) |
| 作者姓名： | 曹宝成 于新好 马洪磊 |
| 作者单位： | 山东大学光电材料与器件研究所,济南,250100 |
| 摘 要： | 报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃. |
| 关 键 词： | 红外吸收谱 X射线光电子谱 清洗工艺 |
New Cleaning Technique of Semiconductor Detergent |
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| Keywords: | |
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